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ZnO压敏电阻器的结构：

晶粒体为电阻率很低的半导体，晶界为绝缘体，类似边界层电容器，另在晶界形成两背靠背的肖特基势垒。因邻近晶粒的取向不同，两晶粒交界处结构松弛，杂质占据这些位置比占据体内晶格位置的能量低，所以容易在晶界偏析。

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ZnO陶瓷具有的非线性电压-电流现象早是在二十世纪六十年代由苏联人M.S.Kossman和E.G.Pettsold发现。在氧化锌压敏陶瓷中其主要成分是ZnO,根据要求不同而加入不同的改性氧化物。1967年7月，日本松下电器公司的无线电实验室的松冈道雄在研究金属电极—氧化锌陶瓷界面时，无意中发现氧化锌（ZnO）加氧化铋（Bi2O3）复合陶瓷具有非线性的的伏安特性。这种复合陶瓷的非线性系数可以达到50左右，伏安特性类似两只反并联的齐纳二极管，通流能力不亚于碳化硅（SiC） 材料，临界击穿电压可以通过改变元件尺寸方便的加以调节，而且这种性能优异的压敏元件通过简单的陶瓷工艺就能制造出来，其性能价格比极高。1975年以前,ZnO

基压敏陶瓷的瞬态过压保护器的应用主要在高压方面，近20年来,随着电子计算机、家用电器、通讯技术等方面的发展，对保证这些系统正常运行的低压变阻器的需求量在不断增加。这些产品要求有较低的标称电压，陡峭的非线性I-V特性及较大的通流量。目前，日本、美国在制造低压压敏电阻方面处于上层地位，如美国GE公司、日本的松下公司，他们制造的产品标称电压可降低到几伏,非线性系数α值可达到30～40,耐通流量也很大。我国这种产品的研制与生产还比较落后，标称电压低于20V的产品只有个别厂家可以生产，且性能不够稳定，还不能大批量生产，而国内对这种低压产品的需求量却与日俱增。

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